光刻机主要可按照曝光方式和光源类型进行分类。
- 接触式/接近式光刻机
早期光刻设备，通过掩膜版与晶圆直接接触，或保持极小间距进行曝光。
其特点是结构简单、成本较低，但分辨率有限，容易产生掩膜磨损、污染和套刻误差。通常分辨率在微米级，主要用于PCB、MEMS、功率器件、显示面板等制造，不适用于先进逻辑芯片生产。 - 投影光刻机
通过光学系统将掩膜版（Reticle）上的电路图形按比例缩小，并投射到晶圆表面的光刻胶上，实现非接触式曝光。
现代投影光刻机通常采用步进扫描（Step & Scan）方式，通过高精度运动平台完成晶圆逐区域曝光。相比接触式设备，具有更高分辨率、更高套刻精度和更高生产效率，是当前半导体制造的主流设备。
根据使用光源不同，投影光刻机主要包括： -
i-line / g-line 光刻机，采用汞灯光源：
- g-line：436nm
- i-line：365nm
主要用于成熟制程、模拟芯片、功率器件、MEMS等制造。
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DUV 光刻机，采用深紫外激光光源，主要包括：
- KrF：248nm
- ArF：193nm
- ArF浸没式：193nm + 液体介质增强分辨率
其中ArF浸没式DUV通过多重曝光、光学邻近修正（OPC）、相移掩膜等技术，可以支持14nm、7nm等先进制程。
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EUV 光刻机，采用 13.5nm 极紫外光源，通过反射式光学系统进行曝光。
EUV具有更高分辨率，是5nm、3nm及未来更先进逻辑芯片制造的重要设备，可减少多重曝光次数，提高先进制程生产效率。 -
电子束光刻机（EBL）
电子束光刻机不使用传统光源，而是利用高速电子束直接在光刻胶上绘制电路图形。
其特点是分辨率极高，但曝光速度较慢，生产效率低，因此不适合大规模芯片量产，主要用于光掩膜制造、科研开发和小批量特殊器件制造。
光刻机竞争的核心并非单一设备制造，而是光源、光学系统、精密运动平台、测量控制、软件算法、材料体系和半导体工艺生态的综合能力。
荷兰 ASML 自 1984 年成立以来持续积累光刻技术，并在光刻机研发过程中整合全球产业链资源，形成独特生态优势。目前，ASML 在高端 DUV（尤其ArF 浸没式）市场处于领先地位，并成为全球唯一实现 EUV 光刻机商业化量产交付的供应商。
分国别来看：
- 荷兰 ASML 掌握最高端 DUV/EUV 整机
- 日本强在成熟光刻设备和光学技术
- 美国掌握大量关键零部件和软件生态
- 中国已覆盖部分成熟光刻领域，正在突破 ArF 浸没式 DUV
中国光刻机发展采取“成熟制程国产化、高端 DUV 突破、EUV 长期布局”的渐进路线。
2000 年前后，中国开始布局半导体装备产业。2002 年成立的上海微电子装备（SMEE）成为国内光刻设备核心企业，先后突破封装光刻、显示光刻以及部分半导体光刻设备。2010 年代，国产光刻机逐步进入 LED、面板、MEMS、功率器件等成熟市场。
近年来，中国重点推进 DUV 技术突破。上海微电子推出 SSX600 系列光刻设备，在 90nm 及以上成熟制程领域实现应用；同时研发 SSA800 系列 193nm ArF 浸没式 DUV 设备，目标进入 28nm 及更先进制程验证阶段。
2022 年后，受国际设备出口限制影响，中国加快半导体设备国产替代。中芯国际等晶圆厂持续验证国产设备，推动光刻机、刻蚀、薄膜沉积、检测等环节国产化。2024 年至 2026 年前后，国产 DUV 设备小批量交付消息不断出现，但距离 ASML 高端 DUV 量产水平仍存在差距。
EUV 方面，中国目前仍处于研发和产业链积累阶段，重点突破光源、超精密光学、材料和控制系统。整体战略是通过成熟制程市场形成产业基础，再逐步向先进制程设备突破，最终建立完整自主半导体制造装备体系。
