9月28日，长鑫科技公告拟使用首次公开发行股票取得的180亿元超募资金，投入DRAM技术研发项目和后道测试基地二期项目，两项目计划总投资约349亿元。

其中，DRAM技术研发项目计划投资241亿元，建设周期30个月，位于合肥经开区，资金主要用于设备购置；后道测试基地二期计划投资108亿元，由公司全资子公司实施，主要建设晶圆测试及模组组装产能。

长鑫科技此次IPO超募资金规模约368.10亿元，本次拟使用180亿元，接近超募资金总额的一半。公司表示，相关项目将进一步加强DRAM研发能力和后道测试产能，完善存储芯片产业布局。

据韩媒《Digital Daily》报道，苹果近期考虑引入中国长鑫存储（CXMT）作为新的移动 DRAM 供应商，以降低下一代 iPhone 等产品的制造成本，但双方在价格谈判中出现分歧。长鑫存储拒绝进一步降价，并要求其 DRAM 产品采购价格不低于三星电子和 SK 海力士报价水平。

报道称，苹果过去凭借庞大的采购规模，在供应链中拥有较强议价能力。但此次长鑫存储能够拒绝降价，主要原因在于国内手机及智能设备厂商对国产存储需求增长。华为、小米等企业通过长期订单锁定产能，使长鑫存储拥有更稳定的市场需求。

分析认为，这一变化反映出全球 DRAM 市场格局正在调整。三星、SK 海力士、美光等传统厂商近年来向 AI 高性能存储、HBM 等高价值产品转型，提升了市场议价能力。而长鑫存储凭借技术突破和国产替代需求快速扩大市场份额。

Counterpoint Research 数据显示，2026 年第二季度，三星占全球 DRAM 市场营收约 39%，SK 海力士约 26%，美光约 25%。与此同时，长鑫存储和南亚科技上一季度营收同比增长分别达到 716% 和 690%。机构认为，长鑫存储进入全球 DRAM 主要供应商行列已成为趋势。

业内认为，若长鑫存储持续提升产能和技术水平，未来可能改变长期由韩美厂商主导的内存市场格局，苹果等全球科技企业的供应链谈判方式也可能随之调整。

上海国资背景企业（宇量昇科技/华为系SiCarrier体系）启动国产浸没式DUV光刻机小批量交付，2026年计划出货约5台供中芯国际、华虹、长鑫，2027年扩至20台，单次曝光支持28nm。

7月28日，MSCI公告将长鑫科技纳入MSCI中国全股票指数，8月10日生效。长鑫科技7月27日登陆科创板，首日涨465.82%，市值超3.2万亿元登顶A股。作为国产DRAM龙头，此次入指将引被动资金关注，但属全股票指数而非MSCI中国指数，资金规模不宜高估。