9月28日，长鑫科技公告拟使用首次公开发行股票取得的180亿元超募资金，投入DRAM技术研发项目和后道测试基地二期项目，两项目计划总投资约349亿元。

其中，DRAM技术研发项目计划投资241亿元，建设周期30个月，位于合肥经开区，资金主要用于设备购置；后道测试基地二期计划投资108亿元，由公司全资子公司实施，主要建设晶圆测试及模组组装产能。

长鑫科技此次IPO超募资金规模约368.10亿元，本次拟使用180亿元，接近超募资金总额的一半。公司表示，相关项目将进一步加强DRAM研发能力和后道测试产能，完善存储芯片产业布局。