2026年10月6日至16日，英伟达股价连续回调，9个交易日累计跌幅超过12%，总市值从5.76万亿美元降至5.16万亿美元，缩水约6000亿美元，折合人民币约4万亿元。全球AI及半导体产业链同步承压，市场开始重新评估AI基础设施投资的回报周期与企业估值。

此次调整波及存储芯片厂商三星、SK海力士，以及算力租赁服务商CoreWeave等企业。市场担忧，AI产业链前期估值较高，若下游商业化收入不及预期，同时融资成本维持高位，可能进一步影响算力基础设施投资和相关企业盈利。

市场分歧主要集中在AI商业化进度与估值水平。看空观点认为，部分AI投资依赖巨额资本支出和企业间循环投资，实际回报仍有待验证；看多观点则认为，短期回调不代表AI技术发展趋势逆转，算力需求仍有长期增长空间。英伟达首席执行官黄仁勋也表示，AI仍处于发展初期，其对整个行业的积极影响有望持续显现。

这轮市场波动反映出投资逻辑正在从关注AI技术前景，转向更加重视商业化收入、盈利能力和资本回报。

10月4日，余承东发布视频称，华为半导体已在手机、AI、通用计算、网络、智能汽车等多个领域成功设计并实现量产，目前累计达到381款τ芯片。

华为τ技术最早于今年5月在国际电路与系统研讨会上对外公布。华为董事、半导体业务部总裁何庭波当时在主题演讲中正式提出相关技术体系，并将其定位为后摩尔时代半导体产业演进的一种新思路。

据介绍，τ技术面向先进半导体发展，通过新的芯片设计与系统架构思路，探索在传统摩尔定律放缓背景下继续提升芯片性能与集成能力。目前相关芯片已覆盖多个业务领域。

9月17日，荷兰安世半导体（Nexperia）宣布与印度塔塔电子达成战略合作，双方将推进安世MOSFET产品在印度生产，并在古吉拉特邦Dholera的300毫米晶圆厂开展前端制造，在阿萨姆邦Jagiroad工厂进行封装测试。塔塔电子称，两座工厂合计投资约140亿美元。路透社称，此举发生在安世与中国母公司闻泰科技控制权冲突持续之际，被视为其进一步布局中国以外供应链的动作。安世表示，此次合作旨在扩大制造能力、增强供应链韧性。

中国科学院半导体研究所与香港大学科研团队近日在新型铁电存储器件研究方面取得重要进展，相关成果以“Giant tunneling electroresistance in sliding ferroelectrics”为题发表于国际期刊《Science》。

团队通过二维范德华异质结界面工程，研制出新型滑移铁电隧穿结，在0.5伏读取电压下实现1.9×10⁷的隧穿电阻比，相比此前同类器件提高4个数量级以上；器件可承受超过1000亿次开关循环，并在13纳秒脉宽下实现可靠切换，开关能耗为6.5 fJ/bit。团队还完成了8×8器件阵列验证。

研究突破了二维滑移铁电材料极化信号弱与器件耐久性之间的技术瓶颈，为高密度非易失存储及存算一体器件提供了新的技术路径。不过，该成果目前仍属于器件层面的实验研究，距离大规模阵列集成和商业化量产仍需进一步验证。

日本半导体企业Rapidus社长小池淳义近日在美国哈德逊研究所演讲时表示，公司正设想在2040年前后于月球表面建设半导体工厂，并称这一构想是认真规划的一部分。Rapidus由日本政府及丰田、索尼等企业参与组建，目前重点推进2纳米先进制程量产，并与IBM开展合作。小池淳义认为，月球两极水冰可提供制造所需资源，月面天然真空环境也具有潜在优势。不过，月面极端温差、宇宙辐射、设备维护及地月运输成本等均构成巨大挑战。业内认为，这一计划目前更多属于长期技术愿景，Rapidus近期核心任务仍是推进日本国内先进制程产线建设。