中国科学院半导体研究所与香港大学科研团队近日在新型铁电存储器件研究方面取得重要进展，相关成果以“Giant tunneling electroresistance in sliding ferroelectrics”为题发表于国际期刊《Science》。

团队通过二维范德华异质结界面工程，研制出新型滑移铁电隧穿结，在0.5伏读取电压下实现1.9×10⁷的隧穿电阻比，相比此前同类器件提高4个数量级以上；器件可承受超过1000亿次开关循环，并在13纳秒脉宽下实现可靠切换，开关能耗为6.5 fJ/bit。团队还完成了8×8器件阵列验证。

研究突破了二维滑移铁电材料极化信号弱与器件耐久性之间的技术瓶颈，为高密度非易失存储及存算一体器件提供了新的技术路径。不过，该成果目前仍属于器件层面的实验研究，距离大规模阵列集成和商业化量产仍需进一步验证。